Справочник MOSFET. CS65N20-30

 

CS65N20-30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS65N20-30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для CS65N20-30

 

 

CS65N20-30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  china
 cs65n20-30.pdf

CS65N20-30

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STB150NF55T4

 

 
Back to Top