CS65N20-30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS65N20-30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS65N20-30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS65N20-30 даташит

 ..1. Size:111K  china
 cs65n20-30.pdf pdf_icon

CS65N20-30

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Другие IGBT... CS640, CS640A0H, CS640A8H, CS640F, CS640FA9H, CS64N90, CS64N90B, CS64N90F, RFP50N06, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768, CS6769, CS6790, CS6796, CS6798