Справочник MOSFET. CS65N20-30

 

CS65N20-30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS65N20-30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CS65N20-30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS65N20-30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  china
 cs65n20-30.pdf pdf_icon

CS65N20-30

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Другие MOSFET... CS640 , CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , CS64N90 , CS64N90B , CS64N90F , SKD502T , CS6660 , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 , CS6790 , CS6796 , CS6798 .

History: IPB024N10N5 | SFF25P20S2I-02 | STU2N62K3 | NVB6413AN | NCE60P04Y | CJ3415 | YJD30N02A

 

 
Back to Top

 


 
.