CS6660 Todos los transistores

 

CS6660 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS6660
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO18
 

 Búsqueda de reemplazo de CS6660 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS6660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  china
 cs6660.pdf pdf_icon

CS6660

CS6660 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 1.1 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 20 /W RthJA 125 BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=1A 3 VGS th VDS=VGS,ID=1m

 9.1. Size:124K  china
 cs6661.pdf pdf_icon

CS6660

CS6661 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.9 A ID VGS=10V,TC=100 0.7 A IDM 3 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 90 125 V RDS on VGS=10V,ID=1A 4

Otros transistores... CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , CS64N90 , CS64N90B , CS64N90F , CS65N20-30 , IRFZ46N , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 , CS6790 , CS6796 , CS6798 , CS6849 .

History: IRFU13N15D | TK50A04K3 | AP9468GM | IRFB4615PBF | KHB8D8N25F | WMM14N65C4 | MS65R170B

 

 
Back to Top

 


 
.