CS6660 Todos los transistores

 

CS6660 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS6660
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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CS6660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  china
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CS6660

CS6660 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 1.1 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 20 /W RthJA 125 BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=1A 3 VGS th VDS=VGS,ID=1m

 9.1. Size:124K  china
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CS6660

CS6661 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.9 A ID VGS=10V,TC=100 0.7 A IDM 3 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 90 125 V RDS on VGS=10V,ID=1A 4

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History: INJ0011AM1 | OSG60R041HZF | HGB028NE6A | IPA50R950CE | FDPF18N20F | INJ0003AC1 | INJ0212AP1

 

 
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