Справочник MOSFET. CS6660

 

CS6660 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS6660
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO18
 

 Аналог (замена) для CS6660

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  china
 cs6660.pdf pdf_icon

CS6660

CS6660 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 1.1 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 20 /W RthJA 125 BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=1A 3 VGS th VDS=VGS,ID=1m

 9.1. Size:124K  china
 cs6661.pdf pdf_icon

CS6660

CS6661 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.9 A ID VGS=10V,TC=100 0.7 A IDM 3 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 90 125 V RDS on VGS=10V,ID=1A 4

Другие MOSFET... CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , CS64N90 , CS64N90B , CS64N90F , CS65N20-30 , IRFZ46N , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 , CS6790 , CS6796 , CS6798 , CS6849 .

History: MTN7002ZS3 | STW80NE06-10 | MDZ1N60UMH | HM60N03K | HGB025N10A | 2SK3376TV | SVG105R4NT

 

 
Back to Top

 


 
.