Справочник MOSFET. CS6660

 

CS6660 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS6660
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO18

 Аналог (замена) для CS6660

 

 

CS6660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  china
 cs6660.pdf

CS6660

CS6660 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 1.1 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 20 /W RthJA 125 BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=1A 3 VGS th VDS=VGS,ID=1m

 9.1. Size:124K  china
 cs6661.pdf

CS6660

CS6661 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.9 A ID VGS=10V,TC=100 0.7 A IDM 3 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 90 125 V RDS on VGS=10V,ID=1A 4

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top