CS7000 Todos los transistores

 

CS7000 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS7000
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CS7000 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  lzg
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CS7000

2N7000(CS7000) N-Channel MOSFET/N MOS PurposeIntended for use in general purpose switching and phase control applications. FeaturesSensitive gate trigger current and Low Holding current. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:2099K  blue-rocket-elect
 brcs700p10dp.pdf pdf_icon

CS7000

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A DRDS(ON)@-10V

 9.2. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

CS7000

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

 9.3. Size:212K  lzg
 cs7002k.pdf pdf_icon

CS7000

2N7002K(CS7002K) N-Channel MOSFET/N MOS PurposeIntended for use in general purpose switching and phase control applications. 2KV FeaturesSensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV. /Abs

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History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
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