CS7000 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS7000 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS7000

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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CS7000 datasheet

..1. Size:191K lzg
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9.1. Size:2099K blue-rocket-elect
brcs700p10dp.pdf pdf_icon

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A D RDS(ON)@-10V

9.2. Size:739K blue-rocket-elect
brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

9.3. Size:212K lzg
cs7002k.pdf pdf_icon

2N7002K(CS7002K) N-Channel MOSFET/N MOS Purpose Intended for use in general purpose switching and phase control applications. 2KV Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV. /Abs

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