CS7000 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS7000
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS7000
CS7000 Datasheet (PDF)
cs7000.pdf
2N7000(CS7000) N-Channel MOSFET/N MOS PurposeIntended for use in general purpose switching and phase control applications. FeaturesSensitive gate trigger current and Low Holding current. /Absolute maximum ratings(Ta=25)
brcs7002k2zk.pdf
BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect
cs7002k.pdf
2N7002K(CS7002K) N-Channel MOSFET/N MOS PurposeIntended for use in general purpose switching and phase control applications. 2KV FeaturesSensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV. /Abs
cs7002.pdf
2N7002(CS7002) N-Channel MOSFET/N MOS PurposeIntended for use in general purpose switching and phase control applications. FeaturesSensitive gate trigger current and Low Holding current. /Absolute maximum ratings(Ta=25)
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
