CS7000. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7000

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для CS7000

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7000 даташит

 ..1. Size:191K  lzg
 cs7000.pdf pdf_icon

CS7000

 9.1. Size:2099K  blue-rocket-elect
 brcs700p10dp.pdf pdf_icon

CS7000

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A D RDS(ON)@-10V

 9.2. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

CS7000

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

 9.3. Size:212K  lzg
 cs7002k.pdf pdf_icon

CS7000

2N7002K(CS7002K) N-Channel MOSFET/N MOS Purpose Intended for use in general purpose switching and phase control applications. 2KV Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV. /Abs

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS6N70A4D-G, CS6N70FA9D, CS6N70FB9D, CS6N80A8, CS6N80ARH, CS6N80FA9, CS6N90ARH-G, CS6N90FA9H, K2611, CS7002, CS7002K, CS7218, CS7225, CS7233, CS7236, CS730A3RD, CS730A4RD