2SK1132 Todos los transistores

 

2SK1132 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1132
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SST
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1132 Datasheet (PDF)

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History: SWF2N70D | WM02N08L | HGN035N08AL | CP650

 

 
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