2SK1132 Todos los transistores

 

2SK1132 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1132

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SST

 Búsqueda de reemplazo de 2SK1132 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1132 datasheet

 ..1. Size:391K  nec
2sk1132.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.1. Size:60K  toshiba
2sk1134.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.2. Size:363K  nec
2sk1133.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.3. Size:88K  no
2sk113r 2sk113o 2sk113y.pdf pdf_icon

2SK1132

Otros transistores... 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , 2SK1123 , IRF3710 , 2SK1133 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 , 2SK1184 .

History: ZXMHC3A01N8 | ZVP4525Z | SWF13N80K | BM2300 | 2SK1365

 

 

 

 

↑ Back to Top
.