Справочник MOSFET. 2SK1132

 

2SK1132 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK1132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SST

 Аналог (замена) для 2SK1132

 

 

2SK1132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  nec
 2sk1132.pdf

2SK1132 2SK1132

 8.1. Size:60K  toshiba
 2sk1134.pdf

2SK1132

 8.2. Size:363K  nec
 2sk1133.pdf

2SK1132 2SK1132

 8.3. Size:88K  no
 2sk113r 2sk113o 2sk113y.pdf

2SK1132

 8.4. Size:88K  interfet
 2sk113 2sk152 2sk363 2sj44 ifn113 ifn152 ifn363 ifp44.pdf

2SK1132

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page D-301/99 D-3Japanese Equivalent JFET TypesSilicon Junction Field-Effect Transistors2SK113 2SK152 2SK363 2SJ44JapaneseIFN113 IFN152 IFN363 IFP44InterFETNJ132 NJ132L NJ450 PJ99ProcessN N N P UnitChannel Channel Channel Channel Limit ParametersV 50 20 40 25 BVGSSMin1.0 0.1 1.0 1.0 nAIGSS( 20 V) (10 V) ( 30 V) (

 8.5. Size:910K  kexin
 2sk1133.pdf

2SK1132 2SK1132

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) Complments the 2SJ1661.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 50V G

 8.6. Size:949K  kexin
 2sk1133-3.pdf

2SK1132 2SK1132

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1133SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 50V1 2 ID = 100 mA+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 50 (VGS = 4V ) +0.11.9 -0.2 Complments the 2SJ1661. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 5

 8.7. Size:202K  inchange semiconductor
 2sk1134.pdf

2SK1132 2SK1132

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1134DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 50 V

Другие MOSFET... 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , 2SK1123 , IRFB4227 , 2SK1133 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 , 2SK1184 .

 

 
Back to Top