Справочник MOSFET. 2SK1132

 

2SK1132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SST
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  nec
 2sk1132.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.1. Size:60K  toshiba
 2sk1134.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.2. Size:363K  nec
 2sk1133.pdf pdf_icon

2SK1132

 8.3. Size:88K  no
 2sk113r 2sk113o 2sk113y.pdf pdf_icon

2SK1132

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , 2SK1123 , IRF630 , 2SK1133 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 , 2SK1184 .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.