CS80N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS80N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS80N60P3

CS80N60P3 Datasheet (PDF)

..1. Size:108K china
cs80n60p3.pdf

CS80N60P3 N PD TC=25 1300 W ID VGS=10V,TC=25 80 A IDM 200 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.096 /W BVDSS VGS=0V,ID=1mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=40A 0.07 VGS th VDS=VGS,ID=8mA 3.0 5.0 V

9.1. Size:1245K jilin sino
jcs80n08i.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

9.2. Size:1114K jilin sino
jcs80n10i.pdf

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

9.3. Size:647K blue-rocket-elect
brcs80n03dp.pdf

BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: