CS80N60P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS80N60P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для CS80N60P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS80N60P3 даташит

 ..1. Size:108K  china
 cs80n60p3.pdf pdf_icon

CS80N60P3

CS80N60P3 N PD TC=25 1300 W ID VGS=10V,TC=25 80 A IDM 200 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.096 /W BVDSS VGS=0V,ID=1mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=40A 0.07 VGS th VDS=VGS,ID=8mA 3.0 5.0 V

 9.1. Size:1245K  jilin sino
 jcs80n08i.pdf pdf_icon

CS80N60P3

N R N-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 9.2. Size:1114K  jilin sino
 jcs80n10i.pdf pdf_icon

CS80N60P3

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 9.3. Size:647K  blue-rocket-elect
 brcs80n03dp.pdf pdf_icon

CS80N60P3

BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS7N65A3TDY, CS7N65A4TDY, CS7N65FA9TDY, CS7N70ARD, CS7N80A8, CS7N80F, CS7NJZ44V, CS7Y1905C, AON7408, CS830, CS830A3RD, CS830A4RD, CS830A8RD, CS830F, CS830FA9RD, CS840, CS840A8D