CS90N03B4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS90N03B4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 521 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS90N03B4

CS90N03B4 Datasheet (PDF)

..1. Size:845K wuxi china
cs90n03b4.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B4 General Description VDSS 25 V CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

7.1. Size:729K crhj
cs90n03 b4.pdf

7.2. Size:726K crhj
cs90n03 b3.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET RCS90N03 B3 General Description VDSS 25 V CS90N03 B3, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

9.1. Size:668K jilin sino
jcs90n10i.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS90N10I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 90A VDSS 100V Rdson-typ - 7.0m (@Vgs=10V Qg-typ 98nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

9.2. Size:103K china
cs90n20d.pdf

CS90N20D N PD TC=25 580 W VGS=10V,TC=70 66 ID A VGS=10V,TC=25 94 IDM 380 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.26 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=50A 0.023 VGS th VDS=VGS,ID=0.

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: