CS90N03B4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS90N03B4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS90N03B4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS90N03B4 даташит

 ..1. Size:845K  wuxi china
 cs90n03b4.pdf pdf_icon

CS90N03B4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B4 General Description VDSS 25 V CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.1. Size:729K  crhj
 cs90n03 b4.pdf pdf_icon

CS90N03B4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B4 General Description VDSS 25 V CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.2. Size:726K  crhj
 cs90n03 b3.pdf pdf_icon

CS90N03B4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS90N03 B3 General Description VDSS 25 V CS90N03 B3, the silicon N-channel Enhanced ID 90 A PD(TC=25 ) 80 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.8 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 9.1. Size:668K  jilin sino
 jcs90n10i.pdf pdf_icon

CS90N03B4

N R N-CHANNEL MOSFET JCS90N10I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 90A VDSS 100V Rdson-typ - 7.0m (@Vgs=10V Qg-typ 98nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS8N60A8H, CS8N60F, CS8N60FA9H, CS8N65A0H, CS8N65A8H, CS8N65FA9H, CS8N80FA9D, CS8N90FA9HD, AON7506, CS90N20D, CS910TH, CS9140, CS9530, CS9532, CS9540, CS9620, CS9640