CS910TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS910TH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: TO-267A

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CS910TH datasheet

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CS910TH

CS910TH N PD TC=25 18 W 0.32 W/ VGS=10V,TC=25 9.4 ID A VGS=10V,TC=100 6.6 IDM 38 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=5.6A 0.21

Otros transistores... CS8N60FA9H, CS8N65A0H, CS8N65A8H, CS8N65FA9H, CS8N80FA9D, CS8N90FA9HD, CS90N03B4, CS90N20D, IRFP450, CS9140, CS9530, CS9532, CS9540, CS9620, CS9640, CS9945BEY, CS9N90ANHD