Справочник MOSFET. CS910TH

 

CS910TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS910TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-267A
 

 Аналог (замена) для CS910TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS910TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  china
 cs910th.pdf pdf_icon

CS910TH

CS910TH N PD TC=25 18 W 0.32 W/ VGS=10V,TC=25 9.4 ID A VGS=10V,TC=100 6.6 IDM 38 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=5.6A 0.21

Другие MOSFET... CS8N60FA9H , CS8N65A0H , CS8N65A8H , CS8N65FA9H , CS8N80FA9D , CS8N90FA9HD , CS90N03B4 , CS90N20D , IRF1407 , CS9140 , CS9530 , CS9532 , CS9540 , CS9620 , CS9640 , CS9945BEY , CS9N90ANHD .

History: STU314D | CS8N90FA9HD | FQPF13N50C | 20N06

 

 
Back to Top

 


 
.