Справочник MOSFET. CS910TH

 

CS910TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS910TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-267A
 

 Аналог (замена) для CS910TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS910TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  china
 cs910th.pdf pdf_icon

CS910TH

CS910TH N PD TC=25 18 W 0.32 W/ VGS=10V,TC=25 9.4 ID A VGS=10V,TC=100 6.6 IDM 38 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=5.6A 0.21

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDB8832 | UT2N10 | IRLMS2002

 

 
Back to Top

 


 
.