CS910TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS910TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-267A

Аналог (замена) для CS910TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS910TH даташит

 ..1. Size:104K  china
 cs910th.pdf pdf_icon

CS910TH

CS910TH N PD TC=25 18 W 0.32 W/ VGS=10V,TC=25 9.4 ID A VGS=10V,TC=100 6.6 IDM 38 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=5.6A 0.21

Другие IGBT... CS8N60FA9H, CS8N65A0H, CS8N65A8H, CS8N65FA9H, CS8N80FA9D, CS8N90FA9HD, CS90N03B4, CS90N20D, IRFP450, CS9140, CS9530, CS9532, CS9540, CS9620, CS9640, CS9945BEY, CS9N90ANHD