CSI4N60 Todos los transistores

 

CSI4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSI4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de CSI4N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CSI4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  lzg
 csi4n60.pdf pdf_icon

CSI4N60

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Otros transistores... CSE130 , CSE220 , CSE230 , CSE9130 , CSE9210 , CSF230 , CSF9024 , CSI460 , IRF520 , CSL2803 , CSLR024 , CSM064 , CSM150 , CSM260 , CSM350 , CSML0060 , CSN440 .

History: FDB6021P | CSM350 | FDS2170N3 | MTN3607E3

 

 
Back to Top

 


 
.