CSI4N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSI4N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CSI4N60 datasheet

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CSI4N60

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Otros transistores... CSE130, CSE220, CSE230, CSE9130, CSE9210, CSF230, CSF9024, CSI460, 75N75, CSL2803, CSLR024, CSM064, CSM150, CSM260, CSM350, CSML0060, CSN440