Справочник MOSFET. CSI4N60

 

CSI4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSI4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CSI4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSI4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  lzg
 csi4n60.pdf pdf_icon

CSI4N60

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие MOSFET... CSE130 , CSE220 , CSE230 , CSE9130 , CSE9210 , CSF230 , CSF9024 , CSI460 , IRF520 , CSL2803 , CSLR024 , CSM064 , CSM150 , CSM260 , CSM350 , CSML0060 , CSN440 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.