CSI4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSI4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CSI4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSI4N60 даташит

 ..1. Size:235K  lzg
 csi4n60.pdf pdf_icon

CSI4N60

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие IGBT... CSE130, CSE220, CSE230, CSE9130, CSE9210, CSF230, CSF9024, CSI460, 75N75, CSL2803, CSLR024, CSM064, CSM150, CSM260, CSM350, CSML0060, CSN440