CSP610TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSP610TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-267A
Búsqueda de reemplazo de CSP610TH MOSFET
CSP610TH Datasheet (PDF)
csp610th.pdf
CSP610THP PD TC=25 40 W 0.32 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.6 AID VGS=-10V,TC=100 -4.2 AIDM -26 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-3.9A 0.48
Otros transistores... CSM150 , CSM260 , CSM350 , CSML0060 , CSN440 , CSP064 , CSP250 , CSP2907 , AON7403 , CSP89 , CSR024 , CSR220 , CSR24N15D , CSR3410 , CSTT90P10P , CSU014 , CSY140 .
History: 2SK3133 | VSP002N03MS-G | 8N60KL-TA3-T
History: 2SK3133 | VSP002N03MS-G | 8N60KL-TA3-T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
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