CSP610TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSP610TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-267A
Búsqueda de reemplazo de CSP610TH MOSFET
CSP610TH Datasheet (PDF)
csp610th.pdf

CSP610THP PD TC=25 40 W 0.32 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.6 AID VGS=-10V,TC=100 -4.2 AIDM -26 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-3.9A 0.48
Otros transistores... CSM150 , CSM260 , CSM350 , CSML0060 , CSN440 , CSP064 , CSP250 , CSP2907 , EMB04N03H , CSP89 , CSR024 , CSR220 , CSR24N15D , CSR3410 , CSTT90P10P , CSU014 , CSY140 .
History: SHDC225509 | NCE60N1K0K
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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