CSP610TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSP610TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-267A

Аналог (замена) для CSP610TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP610TH даташит

 ..1. Size:65K  china
 csp610th.pdf pdf_icon

CSP610TH

CSP610TH P PD TC=25 40 W 0.32 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -6.6 A ID VGS=-10V,TC=100 -4.2 A IDM -26 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-3.9A 0.48

Другие IGBT... CSM150, CSM260, CSM350, CSML0060, CSN440, CSP064, CSP250, CSP2907, AON7403, CSP89, CSR024, CSR220, CSR24N15D, CSR3410, CSTT90P10P, CSU014, CSY140