Справочник MOSFET. CSP610TH

 

CSP610TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSP610TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-267A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP610TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  china
 csp610th.pdf pdf_icon

CSP610TH

CSP610THP PD TC=25 40 W 0.32 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.6 AID VGS=-10V,TC=100 -4.2 AIDM -26 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 3.1 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-3.9A 0.48

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 24N50B | CTN04PN035 | 2N0609 | AOU7S60 | 2300F | HM3205B

 

 
Back to Top

 


 
.