CSTT90P10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSTT90P10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-258A

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CSTT90P10P datasheet

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CSTT90P10P

LJ2015-41 CSTT90P10P P P T =25 462 W D C P T =25 190 W D C I V =10V,T =25 -90 A D GS C I T =25 -225 A DM C V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg BV V =0V,I =-0.25mA -1

Otros transistores... CSP250, CSP2907, CSP610TH, CSP89, CSR024, CSR220, CSR24N15D, CSR3410, AO4407A, CSU014, CSY140, CSY9130, CSY9140, CSY9140C, CSZ14, CSZ34, CSD024