CSTT90P10P Todos los transistores

 

CSTT90P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSTT90P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258A
 

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CSTT90P10P Datasheet (PDF)

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CSTT90P10P

LJ2015-41CSTT90P10P P P T =25 462 WD CP T =25 190 WD CI V =10V,T =25 -90 AD GS C I T =25 -225 ADM CV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgBV V =0V,I =-0.25mA -1

Otros transistores... CSP250 , CSP2907 , CSP610TH , CSP89 , CSR024 , CSR220 , CSR24N15D , CSR3410 , AO3407 , CSU014 , CSY140 , CSY9130 , CSY9140 , CSY9140C , CSZ14 , CSZ34 , CSD024 .

History: 2SK1423 | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | AP40U03GH | VP3203N3

 

 
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