CSTT90P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSTT90P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-258A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSTT90P10P

CSTT90P10P Datasheet (PDF)

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cstt90p10p.pdf

LJ2015-41CSTT90P10P P P T =25 462 WD CP T =25 190 WD CI V =10V,T =25 -90 AD GS C I T =25 -225 ADM CV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgBV V =0V,I =-0.25mA -1

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Liste

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