CSTT90P10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSTT90P10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-258A

Аналог (замена) для CSTT90P10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSTT90P10P даташит

 ..1. Size:136K  china
 cstt90p10p.pdf pdf_icon

CSTT90P10P

LJ2015-41 CSTT90P10P P P T =25 462 W D C P T =25 190 W D C I V =10V,T =25 -90 A D GS C I T =25 -225 A DM C V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg BV V =0V,I =-0.25mA -1

Другие IGBT... CSP250, CSP2907, CSP610TH, CSP89, CSR024, CSR220, CSR24N15D, CSR3410, AO4407A, CSU014, CSY140, CSY9130, CSY9140, CSY9140C, CSZ14, CSZ34, CSD024