CSTT90P10P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSTT90P10P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-258A
Аналог (замена) для CSTT90P10P
CSTT90P10P Datasheet (PDF)
1.1. cstt90p10p.pdf 
Size:136K _update_mosfet
锦州辽晶电子科技有限公司 LJ2015-41 CSTT90P10P 型 P 沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 P T =25℃（芯片功率） 462 W D C P T =25℃（受封装限制影响） 190 W D C I （V =10V,T =25℃） -90 A D GS C 极 限 I T =25℃ -225 A DM C 值 V ±20 V GS T +150 ℃ jm T -55 +150 ℃ stg BV V =0V,I =-0.25mA -1
Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SPA07N60C2 | SPB07N60C2 | SPP07N60C2 | SI2300A | NTD4809NHG | NTD4809NH | IPU09N03LA | IPS09N03LA | IPF09N03LA | IPD09N03LA | BSC0906NS | 2SK0123 | 2SJ455 | R9522 | R9521 |