Справочник MOSFET. CSTT90P10P

 

CSTT90P10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSTT90P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-258A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSTT90P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  china
 cstt90p10p.pdf pdf_icon

CSTT90P10P

LJ2015-41CSTT90P10P P P T =25 462 WD CP T =25 190 WD CI V =10V,T =25 -90 AD GS C I T =25 -225 ADM CV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgBV V =0V,I =-0.25mA -1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CXDM4060N | AOTF8T50P | D55NF06 | 1N80 | AOTF9N90 | 24NM60G-TA3-T | AOW12N60

 

 
Back to Top

 


 
.