CSY9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSY9130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSY9130

CSY9130 Datasheet (PDF)

..1. Size:66K china
csy9130.pdf

CSY9130P PD TC=25 45 W 0.36 W/ID VGS=-10V,TC=25 -9.3 AID VGS=-10V,TC=100 -5.8 AIDM -37 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.8 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

9.1. Size:64K china
csy9140c.pdf

CSY9140CP PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -12 AID VGS=-10V,TC=100 -8.0 AIDM -48 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

9.2. Size:64K china
csy9140.pdf

CSY9140P PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -13 AID VGS=-10V,TC=100 -8.2 AIDM -52 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=

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