CSY9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSY9130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de CSY9130 MOSFET
CSY9130 Datasheet (PDF)
csy9130.pdf
CSY9130P PD TC=25 45 W 0.36 W/ID VGS=-10V,TC=25 -9.3 AID VGS=-10V,TC=100 -5.8 AIDM -37 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.8 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID
csy9140c.pdf
CSY9140CP PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -12 AID VGS=-10V,TC=100 -8.0 AIDM -48 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID
csy9140.pdf
CSY9140P PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -13 AID VGS=-10V,TC=100 -8.2 AIDM -52 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=
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History: CSD024
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