CSY9130 Todos los transistores

 

CSY9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSY9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.31 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSY9130

 

CSY9130 Datasheet (PDF)

1.1. csy9130.pdf Size:66K _update_mosfet

CSY9130

CSY9130型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 45 W 线性降低系数 0.36 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -9.3 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -5.8 A 限 IDM -37 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.8 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

5.1. csy9140c.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9130

CSY9140C型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -12 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.0 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

5.2. csy9140.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9130

CSY9140型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -13 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.2 A 限 IDM -52 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=

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