CSY9130 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSY9130
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm
Тип корпуса: TO-257
CSY9130 Datasheet (PDF)
1.1. csy9130.pdf 
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CSY9130型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 45 W 线性降低系数 0.36 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -9.3 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -5.8 A 限 IDM -37 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.8 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID
5.1. csy9140c.pdf Size:64K _update_mosfet
CSY9140C型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -12 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -8.0 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID
5.2. csy9140.pdf Size:64K _update_mosfet
CSY9140型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -13 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -8.2 A 限 IDM -52 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=
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