Справочник MOSFET. CSY9130

 

CSY9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSY9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSY9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  china
 csy9130.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9130P PD TC=25 45 W 0.36 W/ID VGS=-10V,TC=25 -9.3 AID VGS=-10V,TC=100 -5.8 AIDM -37 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.8 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

 9.1. Size:64K  china
 csy9140c.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9140CP PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -12 AID VGS=-10V,TC=100 -8.0 AIDM -48 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

 9.2. Size:64K  china
 csy9140.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9140P PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -13 AID VGS=-10V,TC=100 -8.2 AIDM -52 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOY2N60

 

 
Back to Top

 


 
.