Справочник MOSFET. CSY9130

 

CSY9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSY9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для CSY9130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSY9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  china
 csy9130.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9130P PD TC=25 45 W 0.36 W/ID VGS=-10V,TC=25 -9.3 AID VGS=-10V,TC=100 -5.8 AIDM -37 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.8 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

 9.1. Size:64K  china
 csy9140c.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9140CP PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -12 AID VGS=-10V,TC=100 -8.0 AIDM -48 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID

 9.2. Size:64K  china
 csy9140.pdf pdf_icon

CSY9130

CSY9140P PD TC=25 60 W 0.48 W/ID VGS=-10V,TC=25 -13 AID VGS=-10V,TC=100 -8.2 AIDM -52 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.1 /WRthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=

Другие MOSFET... CSP89 , CSR024 , CSR220 , CSR24N15D , CSR3410 , CSTT90P10P , CSU014 , CSY140 , IRFP064N , CSY9140 , CSY9140C , CSZ14 , CSZ34 , CSD024 , CSD13201W10 , CSD13202Q2 , CSD13302W .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | SSM3K116TU | 7409B

 

 
Back to Top

 


 
.