CSY9130 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CSY9130
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 45 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 9.3 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.31 Ohm
Package: TO-257
CSY9130 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CSY9130 Datasheet (PDF)
1.1. csy9130.pdf 
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CSY9130型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 45 W 线性降低系数 0.36 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -9.3 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -5.8 A 限 IDM -37 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.8 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID
5.1. csy9140c.pdf Size:64K _update_mosfet
CSY9140C型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -12 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -8.0 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID
5.2. csy9140.pdf Size:64K _update_mosfet
CSY9140型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -13 A 极 ID （VGS=-10V,TC=100℃） -8.2 A 限 IDM -52 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=
Datasheet: PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .
LIST
Last Update
MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |