All MOSFET. CSY9130 Datasheet

 

CSY9130 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CSY9130

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 45 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 9.3 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.31 Ohm

Package: TO-257

CSY9130 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

CSY9130 Datasheet (PDF)

1.1. csy9130.pdf Size:66K _update_mosfet

CSY9130

CSY9130型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 45 W 线性降低系数 0.36 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -9.3 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -5.8 A 限 IDM -37 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.8 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

5.1. csy9140c.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9130

CSY9140C型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -12 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.0 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

5.2. csy9140.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9130

CSY9140型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -13 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.2 A 限 IDM -52 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=

Datasheet: NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 
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