CSD22202W15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD22202W15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 588 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0122 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSBGA

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CSD22202W15 Datasheet (PDF)

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csd22202w15.pdf

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7.1. Size:1055K texas
csd22204w.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22204WSLPS559 MARCH 2015CSD22204W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5 V) 18.9 nC Gate ES

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: