CSD22202W15 Todos los transistores

 

CSD22202W15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD22202W15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 588 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0122 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSBGA
 

 Búsqueda de reemplazo de CSD22202W15 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CSD22202W15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1426K  texas
 csd22202w15.pdf pdf_icon

CSD22202W15

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22202W15SLPS431B JUNE 2013 REVISED DECEMBER 2014CSD22202W15 P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5

 7.1. Size:1055K  texas
 csd22204w.pdf pdf_icon

CSD22202W15

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22204WSLPS559 MARCH 2015CSD22204W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5 V) 18.9 nC Gate ES

Otros transistores... CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS , CSD19536KTT , CSD19537Q3 , IRFP250N , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25201W15 , CSD25202W15 .

History: 2SK3473 | JCS730RC | JCS730SC | 7NM65G-T2Q-T | FQPF12N65C | IRFY9240CM

 

 
Back to Top

 


 
.