Справочник MOSFET. CSD22202W15

 

CSD22202W15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD22202W15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 588 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm
   Тип корпуса: DSBGA
 

 Аналог (замена) для CSD22202W15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD22202W15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1426K  texas
 csd22202w15.pdf pdf_icon

CSD22202W15

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22202W15SLPS431B JUNE 2013 REVISED DECEMBER 2014CSD22202W15 P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5

 7.1. Size:1055K  texas
 csd22204w.pdf pdf_icon

CSD22202W15

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22204WSLPS559 MARCH 2015CSD22204W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5 V) 18.9 nC Gate ES

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.