CSD22202W15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CSD22202W15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 588 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm
Тип корпуса: DSBGA
Аналог (замена) для CSD22202W15
CSD22202W15 Datasheet (PDF)
csd22202w15.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22202W15SLPS431B JUNE 2013 REVISED DECEMBER 2014CSD22202W15 P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5
csd22204w.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD22204WSLPS559 MARCH 2015CSD22204W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 8 V Pb FreeQg Gate Charge Total (4.5 V) 18.9 nC Gate ES
Другие MOSFET... CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS , CSD19536KTT , CSD19537Q3 , IRFP250N , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25201W15 , CSD25202W15 .
History: FDD3706 | JCS640CH | IRF9410
History: FDD3706 | JCS640CH | IRF9410



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet