CSD83325L Todos los transistores

 

CSD83325L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD83325L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 353 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0119 Ohm
   Paquete / Cubierta: PICOSTAR
 

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CSD83325L Datasheet (PDF)

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CSD83325L

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD83325LSLPS494 NOVEMBER 2014CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Common Drain ConfigurationTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low On ResistanceVS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mmQg Gate Charge Tota

Otros transistores... CSD25483F4 , CSD25484F4 , CSD75204W15 , CSD75205W1015 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , AON7506 , CSD85301Q2 , CSD85312Q3E , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D .

History: CSD75301W1015 | CSD75208W1015 | CSD85301Q2

 

 
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