CSD83325L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD83325L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.25 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 353 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0119 Ohm
   Paquete / Cubierta: PICOSTAR

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CSD83325L Datasheet (PDF)

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csd83325l.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD83325LSLPS494 NOVEMBER 2014CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Common Drain ConfigurationTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low On ResistanceVS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mmQg Gate Charge Tota

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: