CSD83325L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD83325L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 353 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0119 Ohm

Encapsulados: PICOSTAR

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CSD83325L datasheet

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CSD83325L

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD83325L SLPS494 NOVEMBER 2014 CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Common Drain Configuration TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low On Resistance VS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mm Qg Gate Charge Tota

Otros transistores... CSD25483F4, CSD25484F4, CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, AON6380, CSD85301Q2, CSD85312Q3E, CSD86311W1723, CSD86330Q3D, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D