Справочник MOSFET. CSD83325L

 

CSD83325L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD83325L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 353 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
   Тип корпуса: PICOSTAR

 Аналог (замена) для CSD83325L

 

 

CSD83325L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  texas
 csd83325l.pdf

CSD83325L CSD83325L

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD83325LSLPS494 NOVEMBER 2014CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Common Drain ConfigurationTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low On ResistanceVS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mmQg Gate Charge Tota

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top