CSD83325L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD83325L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 353 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm

Тип корпуса: PICOSTAR

Аналог (замена) для CSD83325L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD83325L даташит

 ..1. Size:1175K  texas
 csd83325l.pdf pdf_icon

CSD83325L

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD83325L SLPS494 NOVEMBER 2014 CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Common Drain Configuration TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low On Resistance VS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mm Qg Gate Charge Tota

Другие IGBT... CSD25483F4, CSD25484F4, CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, AON6380, CSD85301Q2, CSD85312Q3E, CSD86311W1723, CSD86330Q3D, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D