Справочник MOSFET. CSD83325L

 

CSD83325L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD83325L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 353 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
   Тип корпуса: PICOSTAR
 

 Аналог (замена) для CSD83325L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD83325L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  texas
 csd83325l.pdf pdf_icon

CSD83325L

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD83325LSLPS494 NOVEMBER 2014CSD83325L 12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Common Drain ConfigurationTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low On ResistanceVS1S2 Source-to-Source Voltage 12 V Small Footprint of 2.2 mm 1.15 mmQg Gate Charge Tota

Другие MOSFET... CSD25483F4 , CSD25484F4 , CSD75204W15 , CSD75205W1015 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , IRLZ44N , CSD85301Q2 , CSD85312Q3E , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D .

 

 
Back to Top

 


 
.