CSD85301Q2 Todos los transistores

 

CSD85301Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD85301Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SON2X2
 

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CSD85301Q2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  texas
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CSD85301Q2

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD85301Q2SLPS521 DECEMBER 2014CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs.1 Features1 Low On-ResistanceProduct Summary Dual Independent MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic PackageVDS Drain-to-Source Voltage 20 VQg Gate Charg

 8.1. Size:1459K  texas
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CSD85301Q2

CSD85312Q3Ewww.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs.1FEATURESPRODUCT SUMMARY Common Source ConnectionTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-ResistanceVDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm PlasticQg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nCPackageQgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nCVGS = 4.

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History: STI10N62K3 | FQPF9N15 | VBZE40N03

 

 
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