CSD85301Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD85301Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SON2X2

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CSD85301Q2 datasheet

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CSD85301Q2

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD85301Q2 SLPS521 DECEMBER 2014 CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 Features 1 Low On-Resistance Product Summary Dual Independent MOSFETs TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic Package VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Qg Gate Charg

 8.1. Size:1459K  texas
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CSD85301Q2

CSD85312Q3E www.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013 Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Common Source Connection TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-Resistance VDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Qg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nC Package Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nC VGS = 4.

Otros transistores... CSD25484F4, CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, CSD83325L, IRF530, CSD85312Q3E, CSD86311W1723, CSD86330Q3D, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D, CSD87334Q3D