CSD85301Q2 - описание и поиск аналогов

 

CSD85301Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD85301Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SON2X2

Аналог (замена) для CSD85301Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD85301Q2 даташит

 ..1. Size:1160K  texas
 csd85301q2.pdf pdf_icon

CSD85301Q2

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD85301Q2 SLPS521 DECEMBER 2014 CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 Features 1 Low On-Resistance Product Summary Dual Independent MOSFETs TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic Package VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Qg Gate Charg

 8.1. Size:1459K  texas
 csd85312q3e.pdf pdf_icon

CSD85301Q2

CSD85312Q3E www.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013 Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Common Source Connection TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-Resistance VDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Qg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nC Package Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nC VGS = 4.

Другие MOSFET... CSD25484F4 , CSD75204W15 , CSD75205W1015 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , CSD83325L , IRF530 , CSD85312Q3E , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87334Q3D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.