CSD85301Q2 - аналоги и даташиты транзистора

 

CSD85301Q2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSD85301Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SON2X2
 

 Аналог (замена) для CSD85301Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD85301Q2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  texas
 csd85301q2.pdf pdf_icon

CSD85301Q2

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD85301Q2SLPS521 DECEMBER 2014CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs.1 Features1 Low On-ResistanceProduct Summary Dual Independent MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic PackageVDS Drain-to-Source Voltage 20 VQg Gate Charg

 8.1. Size:1459K  texas
 csd85312q3e.pdf pdf_icon

CSD85301Q2

CSD85312Q3Ewww.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs.1FEATURESPRODUCT SUMMARY Common Source ConnectionTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-ResistanceVDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm PlasticQg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nCPackageQgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nCVGS = 4.

Другие MOSFET... CSD25484F4 , CSD75204W15 , CSD75205W1015 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , CSD83325L , STP80NF70 , CSD85312Q3E , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87334Q3D .

 

 
Back to Top

 


 
.