CSD85312Q3E Todos los transistores

 

CSD85312Q3E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD85312Q3E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 492 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0124 Ohm
   Paquete / Cubierta: SON3.3X3.3
 

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CSD85312Q3E Datasheet (PDF)

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CSD85312Q3E

CSD85312Q3Ewww.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs.1FEATURESPRODUCT SUMMARY Common Source ConnectionTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-ResistanceVDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm PlasticQg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nCPackageQgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nCVGS = 4.

 8.1. Size:1160K  texas
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CSD85312Q3E

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD85301Q2SLPS521 DECEMBER 2014CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs.1 Features1 Low On-ResistanceProduct Summary Dual Independent MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic PackageVDS Drain-to-Source Voltage 20 VQg Gate Charg

Otros transistores... CSD75204W15 , CSD75205W1015 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , CSD83325L , CSD85301Q2 , IRLB4132 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87334Q3D , CSD87350Q5D .

History: STL22N65M5

 

 
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