CSD85312Q3E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD85312Q3E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 492 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0124 Ohm

Encapsulados: SON3.3X3.3

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CSD85312Q3E datasheet

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CSD85312Q3E

CSD85312Q3E www.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013 Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Common Source Connection TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-Resistance VDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Qg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nC Package Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nC VGS = 4.

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CSD85312Q3E

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD85301Q2 SLPS521 DECEMBER 2014 CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 Features 1 Low On-Resistance Product Summary Dual Independent MOSFETs TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic Package VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Qg Gate Charg

Otros transistores... CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, CSD83325L, CSD85301Q2, CS150N03A8, CSD86311W1723, CSD86330Q3D, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D, CSD87334Q3D, CSD87350Q5D