CSD85312Q3E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD85312Q3E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 492 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0124 Ohm
   Paquete / Cubierta: SON3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSD85312Q3E

CSD85312Q3E Datasheet (PDF)

..1. Size:1459K texas
csd85312q3e.pdf

CSD85312Q3Ewww.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs.1FEATURESPRODUCT SUMMARY Common Source ConnectionTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-ResistanceVDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm PlasticQg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nCPackageQgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nCVGS = 4.

8.1. Size:1160K texas
csd85301q2.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD85301Q2SLPS521 DECEMBER 2014CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs.1 Features1 Low On-ResistanceProduct Summary Dual Independent MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic PackageVDS Drain-to-Source Voltage 20 VQg Gate Charg

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Liste

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