CSD85312Q3E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD85312Q3E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 492 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm

Тип корпуса: SON3.3X3.3

Аналог (замена) для CSD85312Q3E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD85312Q3E даташит

 ..1. Size:1459K  texas
 csd85312q3e.pdf pdf_icon

CSD85312Q3E

CSD85312Q3E www.ti.com SLPS457 NOVEMBER 2013 Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Common Source Connection TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Drain to Drain On-Resistance VDS Drain to Source Voltage 20 V Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Qg Gate Charge Total (4.5 V) 11.7 nC Package Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.6 nC VGS = 4.

 8.1. Size:1160K  texas
 csd85301q2.pdf pdf_icon

CSD85312Q3E

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD85301Q2 SLPS521 DECEMBER 2014 CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs . 1 Features 1 Low On-Resistance Product Summary Dual Independent MOSFETs TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Space Saving SON 2 2 mm Plastic Package VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Qg Gate Charg

Другие IGBT... CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, CSD83325L, CSD85301Q2, CS150N03A8, CSD86311W1723, CSD86330Q3D, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D, CSD87334Q3D, CSD87350Q5D