K2837 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

K2837 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2837

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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K2837 datasheet

..1. Size:498K winsemi
k2837.pdf pdf_icon

K2837 K2837 K2837 K2837 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power field ef

0.1. Size:293K 1
ttk2837.pdf pdf_icon

TTK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TTK2837 Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V,

0.2. Size:426K toshiba
2sk2837.pdf pdf_icon

2SK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2837 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 0.21 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 17 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V

0.3. Size:572K winsemi
k2837b.pdf pdf_icon

K2837B K2837B K2837B K2837B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,R (Max0.19 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power

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