K2837B Todos los transistores

 

K2837B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2837B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB
 

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K2837B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  winsemi
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K2837B

K2837BK2837BK2837BK2837BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures24A,500V,R (Max0.19)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode power

 9.1. Size:293K  1
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K2837B

TTK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TTK2837 Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V,

 9.2. Size:426K  toshiba
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K2837B

2SK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2837 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.21 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 17 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V

 9.3. Size:498K  winsemi
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K2837B

K2837K2837K2837K2837Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 24A,500V,RDS(on)(Max0.19)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhancement mode power field ef

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History: SI1071X | NTB23N03RG | 2SK1414 | 2SK1410 | OSG70R350DTF

 

 
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