K2837B - описание и поиск аналогов

 

K2837B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: K2837B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для K2837B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

K2837B даташит

 ..1. Size:572K  winsemi
k2837b.pdfpdf_icon

K2837B

K2837B K2837B K2837B K2837B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,R (Max0.19 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power

 9.1. Size:293K  1
ttk2837.pdfpdf_icon

K2837B

TTK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TTK2837 Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V,

 9.2. Size:426K  toshiba
2sk2837.pdfpdf_icon

K2837B

2SK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2837 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 0.21 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 17 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V

 9.3. Size:498K  winsemi
k2837.pdfpdf_icon

K2837B

K2837 K2837 K2837 K2837 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode power field ef

Другие MOSFET... CSD9024 , K2611 , K2611B , K2611S , K2611SB , K2698 , K2698B , K2837 , IRFZ24N , KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 .

History: RUH40D40M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.