KDB15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDB15N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de KDB15N50 MOSFET
KDB15N50 Datasheet (PDF)
kdb15n50.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel SMPS Power MOSFETKDB15N50(FDB15N50)FeaturesTO-263Unit: mmLow Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement+0.24.57-0.2+0.1Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt1.27-0.1RuggednessReduced rDS(ON)Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance+0.10.1max1.27-0.1Improved Switching Speed with Low EMI+0.10.81-0.12.
Otros transistores... K2611 , K2611B , K2611S , K2611SB , K2698 , K2698B , K2837 , K2837B , IRF830 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 .
History: IPB50CN10NG | DMP2100U | UT8205AG-S08-R | BSS7728N
History: IPB50CN10NG | DMP2100U | UT8205AG-S08-R | BSS7728N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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