KDB15N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB15N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB15N50 datasheet

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KDB15N50

SMD Type MOSFET N-Channel SMPS Power MOSFET KDB15N50(FDB15N50) Features TO-263 Unit mm Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement +0.2 4.57-0.2 +0.1 Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt 1.27-0.1 Ruggedness Reduced rDS(ON) Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance +0.1 0.1max 1.27-0.1 Improved Switching Speed with Low EMI +0.1 0.81-0.1 2.

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