Справочник MOSFET. KDB15N50

 

KDB15N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDB15N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KDB15N50

 

 

KDB15N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kexin
 kdb15n50.pdf

KDB15N50 KDB15N50

SMD Type MOSFETN-Channel SMPS Power MOSFETKDB15N50(FDB15N50)FeaturesTO-263Unit: mmLow Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement+0.24.57-0.2+0.1Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt1.27-0.1RuggednessReduced rDS(ON)Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance+0.10.1max1.27-0.1Improved Switching Speed with Low EMI+0.10.81-0.12.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top