KDB15N50 - описание и поиск аналогов

 

KDB15N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDB15N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KDB15N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB15N50 даташит

 ..1. Size:49K  kexin
 kdb15n50.pdf pdf_icon

KDB15N50

SMD Type MOSFET N-Channel SMPS Power MOSFET KDB15N50(FDB15N50) Features TO-263 Unit mm Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement +0.2 4.57-0.2 +0.1 Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt 1.27-0.1 Ruggedness Reduced rDS(ON) Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance +0.1 0.1max 1.27-0.1 Improved Switching Speed with Low EMI +0.1 0.81-0.1 2.

Другие MOSFET... K2611 , K2611B , K2611S , K2611SB , K2698 , K2698B , K2837 , K2837B , 2N60 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.