KDB15N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

KDB15N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KDB15N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB15N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB15N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kexin
 kdb15n50.pdf pdf_icon

KDB15N50

SMD Type MOSFETN-Channel SMPS Power MOSFETKDB15N50(FDB15N50)FeaturesTO-263Unit: mmLow Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement+0.24.57-0.2+0.1Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt1.27-0.1RuggednessReduced rDS(ON)Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance+0.10.1max1.27-0.1Improved Switching Speed with Low EMI+0.10.81-0.12.

Другие MOSFET... K2611 , K2611B , K2611S , K2611SB , K2698 , K2698B , K2837 , K2837B , 7N60 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 .

History: H5N5006LD | IRF730AL | JCS5N50VC | WVM15N50 | FQPF5N50CYDTU | BL5N50-A | HFP5N50S

 

 
Back to Top

 


 
.