KDB2670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDB2670
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de KDB2670 MOSFET
KDB2670 Datasheet (PDF)
kdb2670.pdf

SMD Type MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely+0.1low RDS(ON) 0.1max1.27-0.1High power and current handling capability+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.
Otros transistores... K2698B , K2837 , K2837B , KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , IRF730 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L .
History: IPP100N08N3G | AM2317 | HAT2218R | NTD20N03L27G | ZXM66P02N8TC | AM3443P | CJP12N65
History: IPP100N08N3G | AM2317 | HAT2218R | NTD20N03L27G | ZXM66P02N8TC | AM3443P | CJP12N65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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