KDB2670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDB2670
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 71 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDB2670

KDB2670 Datasheet (PDF)

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kdb2670.pdf

SMD Type MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely+0.1low RDS(ON) 0.1max1.27-0.1High power and current handling capability+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.

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Liste

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