KDB2670 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB2670

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB2670 datasheet

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KDB2670

SMD Type MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2670(FDB2670) Features TO-263 Unit mm 19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Low gate charge (27 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely +0.1 low RDS(ON) 0.1max 1.27-0.1 High power and current handling capability +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.

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