Справочник MOSFET. KDB2670

 

KDB2670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB2670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB2670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb2670.pdf pdf_icon

KDB2670

SMD Type MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely+0.1low RDS(ON) 0.1max1.27-0.1High power and current handling capability+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.

Другие MOSFET... K2698B , K2837 , K2837B , KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , IRF730 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L .

 

 
Back to Top

 


 
.