KDB2670 - описание и поиск аналогов

 

KDB2670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDB2670

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KDB2670

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB2670 даташит

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb2670.pdf pdf_icon

KDB2670

SMD Type MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET KDB2670(FDB2670) Features TO-263 Unit mm 19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Low gate charge (27 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely +0.1 low RDS(ON) 0.1max 1.27-0.1 High power and current handling capability +0.1 0.81-0.1 2.54 1Gate +0.2 2Drain 2.

Другие MOSFET... K2698B , K2837 , K2837B , KDB15N50 , KDB2532 , KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , IRFB31N20D , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.