Справочник MOSFET. KDB2670

 

KDB2670 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDB2670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 71 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KDB2670

 

 

KDB2670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb2670.pdf

KDB2670 KDB2670

SMD Type MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely+0.1low RDS(ON) 0.1max1.27-0.1High power and current handling capability+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top