KDB2670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KDB2670
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-263
KDB2670 Datasheet (PDF)
kdb2670.pdf

SMD Type MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely+0.1low RDS(ON) 0.1max1.27-0.1High power and current handling capability+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ | JMPK4N65BJ | JMPK4N60BJ | JMPF18N50BJ | JMPF16N65BJ | JMPF16N60BJ | JMPF15N50BJ | JMPF13N50BJ | JMPF12N65BJ | JMPF12N60BJ | JMPF10N65BJ | JMPF10N60BJ | JMPE34N20BJ | JMPE18N20BJ
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c