KDB4020P Todos los transistores

 

KDB4020P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDB4020P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KDB4020P datasheet

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KDB4020P

SMD Type MOSFET P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor KDB4020P(FDB4020P) TO-263 Unit mm Features +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 -16 A, -20 V. RDS(on) =0.08 @VGS =-4.5V RDS(on) =0.11 @VGS =-2.5 V. Critical DC electrical parameters specified at elevated +0.1 0.1max temperature. 1.27-0.1 High density cell design for extremely low RDS(on). +0.1 0.81-0

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