KDB4020P Todos los transistores

 

KDB4020P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDB4020P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KDB4020P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb4020p.pdf pdf_icon

KDB4020P

SMD Type MOSFETP-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect TransistorKDB4020P(FDB4020P)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1-16 A, -20 V. RDS(on) =0.08@VGS =-4.5VRDS(on) =0.11@VGS =-2.5 V.Critical DC electrical parameters specified at elevated+0.10.1maxtemperature.1.27-0.1High density cell design for extremely low RDS(on).+0.10.81-0

Otros transistores... KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , RU7088R , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L .

History: JMSH1018AG | SWP630

 

 
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