KDB4020P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KDB4020P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KDB4020P Datasheet (PDF)
kdb4020p.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect TransistorKDB4020P(FDB4020P)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1-16 A, -20 V. RDS(on) =0.08@VGS =-4.5VRDS(on) =0.11@VGS =-2.5 V.Critical DC electrical parameters specified at elevated+0.10.1maxtemperature.1.27-0.1High density cell design for extremely low RDS(on).+0.10.81-0
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF7220GPBF | FMH20N50ES | KSP92 | RRF015P03 | PMPB27EP | IRF3205ZLPBF | MTB30P06VT4
History: IRF7220GPBF | FMH20N50ES | KSP92 | RRF015P03 | PMPB27EP | IRF3205ZLPBF | MTB30P06VT4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940