Справочник MOSFET. KDB4020P

 

KDB4020P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDB4020P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KDB4020P

 

 

KDB4020P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb4020p.pdf

KDB4020P KDB4020P

SMD Type MOSFETP-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect TransistorKDB4020P(FDB4020P)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1-16 A, -20 V. RDS(on) =0.08@VGS =-4.5VRDS(on) =0.11@VGS =-2.5 V.Critical DC electrical parameters specified at elevated+0.10.1maxtemperature.1.27-0.1High density cell design for extremely low RDS(on).+0.10.81-0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top