Справочник MOSFET. KDB4020P

 

KDB4020P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB4020P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB4020P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB4020P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 kdb4020p.pdf pdf_icon

KDB4020P

SMD Type MOSFETP-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect TransistorKDB4020P(FDB4020P)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1-16 A, -20 V. RDS(on) =0.08@VGS =-4.5VRDS(on) =0.11@VGS =-2.5 V.Critical DC electrical parameters specified at elevated+0.10.1maxtemperature.1.27-0.1High density cell design for extremely low RDS(on).+0.10.81-0

Другие MOSFET... KDB2552 , KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , STP65NF06 , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L .

History: IXTA180N055T | JMSL0603BGQ | JMSL0603PG

 

 
Back to Top

 


 
.