KDB5690 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDB5690
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: TO-263
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KDB5690 datasheet
kdb5690.pdf
SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel PowerTrenchTMMOSFET KDB5690 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @VGS =10V RDS(ON) = 0.032 @VGS =6V Critical DC electrical parameters specified at +0.1 0.1max 1.27-0.1 elevated temperature. Rugged internal source-drain diode can eliminate the 0.81+0.1 -0.1 need for an external Zener diode
Otros transistores... KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , IRF830 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H .
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