Справочник MOSFET. KDB5690

 

KDB5690 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB5690
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB5690

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB5690 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb5690.pdf pdf_icon

KDB5690

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrenchTMMOSFETKDB5690TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Features32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @VGS =10VRDS(ON) = 0.032 @VGS =6VCritical DC electrical parameters specified at+0.10.1max1.27-0.1elevated temperature.Rugged internal source-drain diode can eliminate the0.81+0.1-0.1need for an external Zener diode

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STE36N50-DA

 

 
Back to Top

 


 
.