KDB5690 - описание и поиск аналогов

 

KDB5690. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDB5690

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KDB5690

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB5690 даташит

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb5690.pdf pdf_icon

KDB5690

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel PowerTrenchTMMOSFET KDB5690 TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @VGS =10V RDS(ON) = 0.032 @VGS =6V Critical DC electrical parameters specified at +0.1 0.1max 1.27-0.1 elevated temperature. Rugged internal source-drain diode can eliminate the 0.81+0.1 -0.1 need for an external Zener diode

Другие MOSFET... KDB2570 , KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , IRF830 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H .

History: IRF8301MTRPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.