Справочник MOSFET. KDB5690

 

KDB5690 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB5690
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB5690 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb5690.pdf pdf_icon

KDB5690

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrenchTMMOSFETKDB5690TO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Features32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @VGS =10VRDS(ON) = 0.032 @VGS =6VCritical DC electrical parameters specified at+0.10.1max1.27-0.1elevated temperature.Rugged internal source-drain diode can eliminate the0.81+0.1-0.1need for an external Zener diode

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TX216521M6R | STW13NK50Z | STP5NB40 | IRLU7807Z | TF2312 | 9N90 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.