KDB6030L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDB6030L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KDB6030L datasheet

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KDB6030L

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor KDB6030L TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 Features 1.27-0.1 52A, 30 V. RDS(ON) =0.0135 @VGS =10V RDS(ON) =0.020 @VGS =4.5 V Low gate charge (typical 34 nC). +0.1 0.1max Low Crss (typical 175 pF). 1.27-0.1 Fast switching speed. 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -

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