KDB6030L Todos los transistores

 

KDB6030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDB6030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KDB6030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
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KDB6030L

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel Logic Level EnhancementMode Field Effect TransistorKDB6030LTO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.1Features1.27-0.152A, 30 V. RDS(ON) =0.0135 @VGS =10VRDS(ON) =0.020 @VGS =4.5 VLow gate charge (typical 34 nC).+0.10.1maxLow Crss (typical 175 pF).1.27-0.1Fast switching speed.0.81+0.1-0.12.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-

Otros transistores... KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , 60N06 , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 .

History: SIHW73N60E | NTD4960N

 

 
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