Справочник MOSFET. KDB6030L

 

KDB6030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB6030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KDB6030L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB6030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb6030l.pdf pdf_icon

KDB6030L

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel Logic Level EnhancementMode Field Effect TransistorKDB6030LTO-263Unit: mm4.57+0.2-0.2+0.1Features1.27-0.152A, 30 V. RDS(ON) =0.0135 @VGS =10VRDS(ON) =0.020 @VGS =4.5 VLow gate charge (typical 34 nC).+0.10.1maxLow Crss (typical 175 pF).1.27-0.1Fast switching speed.0.81+0.1-0.12.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-

Другие MOSFET... KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , 60N06 , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 .

History: CS630A3H | TMP20N50A | SKI03063 | TMP18N20Z | JBE102G | KDC6020C | TMAN9N90

 

 
Back to Top

 


 
.