KDB6030L - описание и поиск аналогов

 

KDB6030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDB6030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KDB6030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB6030L даташит

 ..1. Size:58K  kexin
 kdb6030l.pdf pdf_icon

KDB6030L

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor KDB6030L TO-263 Unit mm 4.57+0.2 -0.2 +0.1 Features 1.27-0.1 52A, 30 V. RDS(ON) =0.0135 @VGS =10V RDS(ON) =0.020 @VGS =4.5 V Low gate charge (typical 34 nC). +0.1 0.1max Low Crss (typical 175 pF). 1.27-0.1 Fast switching speed. 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -

Другие MOSFET... KDB2572 , KDB2670 , KDB3632 , KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , IRLB3034 , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.