KDD2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD2572
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 135 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 183 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDD2572
KDD2572 Datasheet (PDF)
kdd2572.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrench MOSFETKDD2572TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9AQg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V0.127Low Miller Charge0.80+0.1 max-0.1Low QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Qualified
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .