KDD2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD2572
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de KDD2572 MOSFET
KDD2572 Datasheet (PDF)
kdd2572.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrench MOSFETKDD2572TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9AQg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V0.127Low Miller Charge0.80+0.1 max-0.1Low QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Qualified
Otros transistores... KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , HY1906P , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 .
History: AUIRFS3006 | IXFT60N25Q
History: AUIRFS3006 | IXFT60N25Q
Liste
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