KDD2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD2572
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
KDD2572 Datasheet (PDF)
kdd2572.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrench MOSFETKDD2572TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9AQg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V0.127Low Miller Charge0.80+0.1 max-0.1Low QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Qualified
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: LSE80R350GT | DMT4N65 | SI4340DDY | STF34N65M5 | IFR623 | 3SK134B | NTLJS4114N
History: LSE80R350GT | DMT4N65 | SI4340DDY | STF34N65M5 | IFR623 | 3SK134B | NTLJS4114N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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