Справочник MOSFET. KDD2572

 

KDD2572 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDD2572
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KDD2572

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD2572 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  kexin
 kdd2572.pdf pdf_icon

KDD2572

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel PowerTrench MOSFETKDD2572TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9AQg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V0.127Low Miller Charge0.80+0.1 max-0.1Low QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.1Qualified

Другие MOSFET... KDB3652 , KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , EMB04N03H , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 .

History: IXFN170N10

 

 
Back to Top

 


 
.