KDD3670 Todos los transistores

 

KDD3670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDD3670
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KDD3670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
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KDD3670

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel PowerTrench MOSFETKDD3670TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10VRDS(ON) = 35m @VGS =6V0.127Low gate charge (57 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1

 9.1. Size:62K  kexin
 kdd3680.pdf pdf_icon

KDD3670

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel Power Trench MOSFETKDD3680TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 VRDS(ON) = 51m @VGS =6V0.127Low gate charge (38 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0

Otros transistores... KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , IRF9640 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 .

History: KDS9952A | IRF7832 | 2N6791LCC4 | STP18N10 | FCP11N60F | JANSR2N7396 | FS5VS-6

 

 
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