KDD3670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDD3670
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDD3670

KDD3670 Datasheet (PDF)

..1. Size:62K kexin
kdd3670.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel PowerTrench MOSFETKDD3670TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10VRDS(ON) = 35m @VGS =6V0.127Low gate charge (57 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1

9.1. Size:62K kexin
kdd3680.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel Power Trench MOSFETKDD3680TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 VRDS(ON) = 51m @VGS =6V0.127Low gate charge (38 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: