KDD3670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD3670
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 57 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 265 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDD3670
KDD3670 Datasheet (PDF)
kdd3670.pdf
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SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel PowerTrench MOSFETKDD3670TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10VRDS(ON) = 35m @VGS =6V0.127Low gate charge (57 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1
kdd3680.pdf
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SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel Power Trench MOSFETKDD3680TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 VRDS(ON) = 51m @VGS =6V0.127Low gate charge (38 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0
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