KDD3670 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD3670
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO-252
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KDD3670 datasheet
kdd3670.pdf
SMD Type IC SMD Type Transistors 100V N-Channel PowerTrench MOSFET KDD3670 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 Features 34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10V RDS(ON) = 35m @VGS =6V 0.127 Low gate charge (57 nC typical) 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0.1
kdd3680.pdf
SMD Type IC SMD Type Transistors 100V N-Channel Power Trench MOSFET KDD3680 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 Features 25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 V RDS(ON) = 51m @VGS =6V 0.127 Low gate charge (38 nC typical) 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0
Otros transistores... KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , K2611 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 .
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Liste
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