KDD3670 - описание и поиск аналогов

 

KDD3670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDD3670

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KDD3670

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD3670 даташит

 ..1. Size:62K  kexin
 kdd3670.pdf pdf_icon

KDD3670

SMD Type IC SMD Type Transistors 100V N-Channel PowerTrench MOSFET KDD3670 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 Features 34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10V RDS(ON) = 35m @VGS =6V 0.127 Low gate charge (57 nC typical) 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0.1

 9.1. Size:62K  kexin
 kdd3680.pdf pdf_icon

KDD3670

SMD Type IC SMD Type Transistors 100V N-Channel Power Trench MOSFET KDD3680 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 Features 25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 V RDS(ON) = 51m @VGS =6V 0.127 Low gate charge (38 nC typical) 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0

Другие MOSFET... KDB3672 , KDB3682 , KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , K2611 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.