KDD6030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDD6030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 56 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 325 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KDD6030L

KDD6030L Datasheet (PDF)

..1. Size:69K kexin
kdd6030l.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors30V N-Channel Power Trench MOSFETKDD6030LTO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.712 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10VRDS(ON) =21m @VGS =4.5 VLow gate charge0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.14.60

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Liste

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