KDD6030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDD6030L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
KDD6030L Datasheet (PDF)
kdd6030l.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors30V N-Channel Power Trench MOSFETKDD6030LTO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.712 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10VRDS(ON) =21m @VGS =4.5 VLow gate charge0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.14.60
Otros transistores... KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , MMD60R360PRH , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 .
History: PB6W8BX | RJK6002DPD
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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