KDD6030L Todos los transistores

 

KDD6030L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDD6030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KDD6030L datasheet

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KDD6030L

SMD Type IC SMD Type Transistors 30V N-Channel Power Trench MOSFET KDD6030L TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 12 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10V RDS(ON) =21m @VGS =4.5 V Low gate charge 0.127 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0.1 -0.1 4.60

Otros transistores... KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , RU7088R , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 .

History: APT5010JFLL | AOD414 | IPI65R190C6

 

 
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