KDD6030L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDD6030L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: TO-252

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KDD6030L datasheet

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KDD6030L

SMD Type IC SMD Type Transistors 30V N-Channel Power Trench MOSFET KDD6030L TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 12 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10V RDS(ON) =21m @VGS =4.5 V Low gate charge 0.127 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0.1 -0.1 4.60

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