Справочник MOSFET. KDD6030L

 

KDD6030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDD6030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KDD6030L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD6030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  kexin
 kdd6030l.pdf pdf_icon

KDD6030L

SMD Type ICSMD Type Transistors30V N-Channel Power Trench MOSFETKDD6030LTO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.712 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10VRDS(ON) =21m @VGS =4.5 VLow gate charge0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.14.60

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDS2734

 

 
Back to Top

 


 
.