Справочник MOSFET. KDD6030L

 

KDD6030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDD6030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KDD6030L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD6030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  kexin
 kdd6030l.pdf pdf_icon

KDD6030L

SMD Type ICSMD Type Transistors30V N-Channel Power Trench MOSFETKDD6030LTO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1Features+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.712 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10VRDS(ON) =21m @VGS =4.5 VLow gate charge0.1270.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1-0.14.60

Другие MOSFET... KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , MMD60R360PRH , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 .

 

 
Back to Top

 


 
.