KDD6030L - описание и поиск аналогов

 

KDD6030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDD6030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KDD6030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD6030L даташит

 ..1. Size:69K  kexin
 kdd6030l.pdf pdf_icon

KDD6030L

SMD Type IC SMD Type Transistors 30V N-Channel Power Trench MOSFET KDD6030L TO-252 Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 0.50+0.8 -0.7 12 A, 30 V. RDS(ON) = 14.5m @VGS =10V RDS(ON) =21m @VGS =4.5 V Low gate charge 0.127 0.80+0.1 max -0.1 Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 1. Gate 2.3 0.60+0.1 -0.1 4.60

Другие MOSFET... KDB4020P , KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , RU7088R , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 .

History: FTK9451

 

 

 

 

↑ Back to Top
.