KDR8702H Todos los transistores

 

KDR8702H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDR8702H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KDR8702H Datasheet (PDF)

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KDR8702H

SMD Type ICSMD Type Transistors20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETKDR8702HFeaturesN-Ch RDS(ON) = 54m @VGS =2.5 V3.6A, 20V RDS(ON) =38m @VGS =4.5VP-Ch RDS(ON) = 110 m @VGS=- 2.5V-2.6 A, -20 V RDS(ON) =80m @VGS =-4.5VFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitD

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