KDR8702H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDR8702H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KDR8702H datasheet
kdr8702h.pdf
SMD Type IC SMD Type Transistors 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET KDR8702H Features N-Ch RDS(ON) = 54m @VGS =2.5 V 3.6A, 20V RDS(ON) =38m @VGS =4.5V P-Ch RDS(ON) = 110 m @VGS=- 2.5V -2.6 A, -20 V RDS(ON) =80m @VGS =-4.5V Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit D
Otros transistores... KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , MMIS60R580P , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 .
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Liste
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